我司的太陽能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺當(dāng)中，有專業(yè)進(jìn)行硅材料檢測方面的試驗(yàn)臺。可以用于硅材料檢測的一些實(shí)訓(xùn)項(xiàng)目，可以用于一些硅材料技術(shù)、光伏材料加工及應(yīng)用技術(shù)專業(yè)，此太陽能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺設(shè)計精密，可以根據(jù)常用的一些測試項(xiàng)目，進(jìn)行一些硅片或則相關(guān)制品的電學(xué)性能測試，該實(shí)訓(xùn)臺可開展的實(shí)訓(xùn)項(xiàng)目有：

         一、導(dǎo)電性能測試： 

         此太陽能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺進(jìn)行導(dǎo)電性能測試的原理是：通過半導(dǎo)體與冷、熱探筆接觸后，由于載流子的熱運(yùn)動與溫度有關(guān)，熱區(qū)的載流子熱運(yùn)動速度大，冷區(qū)熱運(yùn)動速度小，因此在冷、熱兩端形成空穴或自由電子的濃度差，從而產(chǎn)生溫差電動勢來測量。

         二、進(jìn)行四探針法測試硅單晶電阻率：

         四探針法用針距約為1mm的四根探針同時壓在硅單晶樣品的平整表面上，利用恒流源給外面兩根探針通以電流，然后在中間兩根探針上用電位差計測量電壓降，然后根據(jù)推導(dǎo)簡化   公式，其中四根探針排列在同一條直線上，間距相等，此時探針系數(shù)就是一個常數(shù)。

         在實(shí)際測量工作中，為了計算方便，常常令電流I在數(shù)值上與探針系數(shù)C相等，即I=C，于是ρ=V23，此時探針2與3之間測得電位差在數(shù)值上就等于樣品的電阻率。

          三、少子壽命的測試：

          太陽能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺采用電脈沖以及光脈沖的方法，從半導(dǎo)體內(nèi)激發(fā)非平衡載流子，調(diào)節(jié)了半導(dǎo)體的體電阻，電導(dǎo)率增加，樣品的電阻減小，因此樣品上流過的高頻電流的幅值增加，通過測量體電阻或串聯(lián)電阻兩端電壓的變化規(guī)律來觀察半導(dǎo)體材料中的非平衡少數(shù)載流子的衰減規(guī)律，從而測定其壽命。